美国反对:SK海力士无锡工厂引进EUV光刻机受阻光刻|芯片

原创2021-11-26 14:15:04 803
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近期路透社曾报道,韩国存储芯片大厂SK海力士在江苏无锡工厂引进EUV光刻机的计划可能面临搁浅,原因是美国方面反对EUV光刻机这类先进设备进入中国大陆。

这一问题之前在SK海力士内部引起了相当程度的关注,以至于CEO李锡熙在7月访问华盛顿期间向美国官员提出了相关关切,不过短期来看阻力显然不小。

李锡熙在11月22日的一场活动上表示,(基于EUV的)第四代DRAM芯片从7月开始在韩国生产,要在中国工厂应用相同的技术还有很长的路要走,将在与相关方面合作的同时明智地应对此事。

此前SK海力士宣布,将在未来5年内斥资约43亿美元,持续从阿斯麦采购EUV光刻机。

其在韩国本土的工厂已经引进EUV光刻技术,并于去年7月开始成功量产基于EUV的10nm第四代DRAM芯片;计划引入无锡工厂的EUV光刻机也将用于生产10nm DRAM芯片。

据悉,SK海力士在无锡工厂所生产的DRAM内存芯片占其产量的约一半,占全球总产量的15%。

因此,设备升级受阻或将对市场产生重大影响,也将使SK海力士在与三星、美光的竞争中处于劣势。

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